參數(shù)資料
型號： MMPQ2369S62Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大小： 187K
代理商： MMPQ2369S62Z
PN2369A
/
MMBT2369A
/
MMPQ2369
AC Typical Characteristics (continued)
Test Circuits
0
- 10
V
IN
V
IN
0.1
F
'A'
500
890
0.1
F
1 K
+6V
V
OUT
0
- 4V
10%
V
OUT
t
s
t
off
10%
90%
V
OUT
V
IN
0
V
OUT
10% Pulse waveform
at point ' A'
t
off
V
BB
= 12 V
V
IN
= - 20.9 V
V
IN
V
OUT
10%
90%
V
IN
0
t
on
t
on
V
BB
= - 3.0 V
V
IN
= + 15.25 V
To sampling oscilloscope
input impedance = 50
Rise Time
≤ 1 ns
Pulse generator
V
IN Rise Time
< 1 ns
Source Impedance = 50
PW
≥ 300 ns
Duty Cycle
< 2%
0.0023
F
0.0023
F
0.0023
F
0.0023
F
10
F
10
F
++
11 V
10 V
500
91
0.05
F
0.05
F
0.1
F
0.1
F
3.3 K
50
3.3 K
220
50
V
CC
= 3.0 V
V
BB
Pulse generator
V
IN Rise Time
< 1 ns
Source Impedance = 50
PW
≥ 300 ns
Duty Cycle
< 2%
56
FIGURE 1: Charge Storage Time Measurement Circuit
FIGURE 2: t
ON
, t
OFF
Measurement Circuit
POWER DISSIPATION vs
AMBIENT TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
TEMPERATURE ( C)
P
-
P
O
W
E
R
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(
W
)
D
o
SOT-223
SOT-23
TO-92
NPN Switching Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2369AS62Z 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369ALT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369LT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369AT/R13 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369AT/R7 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMPQ2907 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ2907_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ2907A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purpose Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ2907A_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purpose Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ3467 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*