參數(shù)資料
型號： MMPQ2369S62Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 187K
代理商： MMPQ2369S62Z
PN2369A
/
MMBT2369A
/
MMPQ2369
DC Typical Characteristics
NPN Switching Transistor
(continued)
DC Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
100
50
100
150
200
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
D
C
U
R
EN
T
G
A
IN
FE
C
V
= 1V
CE
- 40 C
25 °C
125 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P21
0.1
1
10
100
500
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITT
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
CE
S
A
T
- 40 C
25 °C
C
ββ = 10
125 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P21
0.1
1
10
100
300
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-B
A
SE-
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
S
A
T
C
ββ = 10
- 40 C
25 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P21
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-B
A
SE-
EM
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(V
)
B
E(O
N
)
C
V
= 1V
CE
- 40 C
25 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
1
10
100
600
T - AMBIENT TEMP ERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
CT
O
R
CU
RRE
N
T
(n
A
)
A
V
= 20V
CB
CBO
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2369AS62Z 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369ALT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369LT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369AT/R13 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369AT/R7 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMPQ2907_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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