參數(shù)資料
型號： MMPQ2369S62Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 187K
代理商： MMPQ2369S62Z
PN2369A
/
MMBT2369A
/
MMPQ2369
PN2369A
MMPQ2369
MMBT2369A
NPN Switching Transistor
This device is designed for high speed saturation switching at collector
currents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
15
V
VCBO
Collector-Base Voltage
40
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
4.5
V
IC
Collector Current - Continuous
200
mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN2369A
MMBT2369A*
MMPQ2369
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
350
2.8
225
1.8
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
125
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Effective 4 Die
Each Die
357
556
125
240
°C/W
C
B
E
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 1S
C
SOIC-16
E
B
E
B
E
B
E
B
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關PDF資料
PDF描述
MMBT2369AS62Z 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369ALT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369LT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369AT/R13 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369AT/R7 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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