參數(shù)資料
型號： MMPQ2369L86Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOIC-16
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 187K
代理商： MMPQ2369L86Z
PN2369A
/
MMBT2369A
/
MMPQ2369
AC Typical Characteristics (continued)
Test Circuits
0
- 10
V
IN
V
IN
0.1
F
'A'
500
890
0.1
F
1 K
+6V
V
OUT
0
- 4V
10%
V
OUT
t
s
t
off
10%
90%
V
OUT
V
IN
0
V
OUT
10% Pulse waveform
at point ' A'
t
off
V
BB
= 12 V
V
IN
= - 20.9 V
V
IN
V
OUT
10%
90%
V
IN
0
t
on
t
on
V
BB
= - 3.0 V
V
IN
= + 15.25 V
To sampling oscilloscope
input impedance = 50
Rise Time
≤ 1 ns
Pulse generator
V
IN Rise Time
< 1 ns
Source Impedance = 50
PW
≥ 300 ns
Duty Cycle
< 2%
0.0023
F
0.0023
F
0.0023
F
0.0023
F
10
F
10
F
++
11 V
10 V
500
91
0.05
F
0.05
F
0.1
F
0.1
F
3.3 K
50
3.3 K
220
50
V
CC
= 3.0 V
V
BB
Pulse generator
V
IN Rise Time
< 1 ns
Source Impedance = 50
PW
≥ 300 ns
Duty Cycle
< 2%
56
FIGURE 1: Charge Storage Time Measurement Circuit
FIGURE 2: t
ON
, t
OFF
Measurement Circuit
POWER DISSIPATION vs
AMBIENT TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
TEMPERATURE ( C)
P
-
P
O
W
E
R
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(
W
)
D
o
SOT-223
SOT-23
TO-92
NPN Switching Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMPQ2369S62Z 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369AS62Z 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369ALT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369LT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369AT/R13 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMPQ2907 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ2907_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMPQ2907A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Purpose Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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