參數(shù)資料
型號(hào)： MMPQ2369L86Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOIC-16
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 187K
代理商： MMPQ2369L86Z
PN2369A
/
MMBT2369A
/
MMPQ2369
DC Typical Characteristics
NPN Switching Transistor
(continued)
DC Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.1
1
10
100
50
100
150
200
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
D
C
U
R
EN
T
G
A
IN
FE
C
V
= 1V
CE
- 40 C
25 °C
125 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P21
0.1
1
10
100
500
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITT
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
CE
S
A
T
- 40 C
25 °C
C
ββ = 10
125 °C
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P21
0.1
1
10
100
300
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-B
A
SE-
EM
IT
T
E
R
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
S
A
T
C
ββ = 10
- 40 C
25 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P21
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-B
A
SE-
EM
IT
T
E
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(V
)
B
E(O
N
)
C
V
= 1V
CE
- 40 C
25 °C
125 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
1
10
100
600
T - AMBIENT TEMP ERATURE ( C)
I
-
CO
L
E
CT
O
R
CU
RRE
N
T
(n
A
)
A
V
= 20V
CB
CBO
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PDF描述
MMPQ2369S62Z 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369AS62Z 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369ALT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369LT3 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2369AT/R13 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MMPQ2907 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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