參數(shù)資料
型號(hào): MMFTP84
廠商: DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 130 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 103K
代理商: MMFTP84
MMFTP84
MMFTP84
P
P-Channel Enhancement Mode Vertical D-MOS Transistor
P-Kanal Vertikal D-MOS Transistor - Anreicherungstyp
P
Version 2011-01-24
Dimensions - Mae [mm]
1 = G
2 = S
3 = D
Power dissipation – Verlustleistung
250 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMFTP84
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
- VDS
50 V
Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung
D open
VGSO
± 20 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
250 mW 1)
Drain current continous – Drainstrom (dc)
- ID
130 mA
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
- IDM
520 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
150°C
-55…+150°C
1
Device mounted on standard PCB material
Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
2.
5
m
ax
1.
3
±
0.
1
1.1
0.4
2.9 ±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMJT9410T1 10 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMJT9410T3 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-261AA
MMJT9435T1 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMP7034-19-1 200 V, SILICON, PIN DIODE
MMPN-080150-C51 200 V, SILICON, PIN DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMF-XO-2525 制造商:SPC Multicomp 功能描述:Terminal 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TERMINAL, DBL M-F STACK ADAPTER, CRIMP, UNINSUL; Connector Type:Double Male-Female Stack Adapter; Insulator Material:Uninsulated; Connector Type:Double Male-Female Stack Adapter
MMFZ10T1G 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW SOD-123 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標(biāo)稱)(Vz):36V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
MMFZ10T3G 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW SOD-123 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標(biāo)稱)(Vz):36V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
MMFZ12T1G 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW SOD-123 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標(biāo)稱)(Vz):36V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
MMFZ12T3G 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW SOD-123 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標(biāo)稱)(Vz):36V 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT