參數(shù)資料
型號： MMFT2955E
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 1 Amp, 60 Volts P-Channel(1A，60V，P溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 功率MOSFET 1安培60伏特P -通道（第1A，60V的P溝道增強(qiáng)型功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/12頁
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代理商： MMFT2955E
MMFT2955E
http://onsemi.com
6
Figure 14. Capacitance Variation with Voltage
SAME
DEVICETYPE
AS DUT
Vin
+18V
VDD
10V
100k
0.1
μ
F
FERRITE
BEAD
DUT
100
2N3904
2N3904
47k
15V
100k
Vin = 15 Vpk; PULSE WIDTH
≤
100
μ
s, DUTY CYCLE
≤
10%.
1mA
47k
1000
800
200
400
600
0
Figure 15. Gate Charge versus Gate–To–Source Voltage
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
C
Ciss
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
1200
1400
1600
1800
Crss
Coss
Ciss
Coss
Crss
VGS
15
10
5
0
5
10
15
20
VDS
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
0
10
3
7.5
13
20
V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
TJ = 25
°
C
VDS = 48 V
ID = 1.2 A
VGS
VDS
TJ = 25
°
C
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMFT2N02EL Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts N-Channel(2A，20V，N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
MMJT9410 Bipolar Power Transistors NPN Silicon(NPN型雙極性功率晶體管)
MMJT9435 Bipolar Power Transistors PNP Silicon(PNP型雙極性功率晶體管)
MMSD71RKT1 Switching Diode(開關(guān)二極管)
MMSD914T1 Switching Diode(開關(guān)二極管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMFT2955ET1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET P SOT-223
MMFT2N02EL 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER LOGIC LEVEL TMOS FET 1.6 AMP 20 VOLTS
MMFT2N02ELT1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MMFT2N25E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS
MMFT2N25ET3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel
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