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參數資料
| 型號： | MMFT2955E |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 英文描述： | Power MOSFET 1 Amp, 60 Volts P-Channel(1A，60V，P溝道增強型功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | 功率MOSFET 1安培60伏特P -通道（第1A，60V的P溝道增強型功率馬鞍山場效應管） |
| 文件頁數： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商： | MMFT2955E |
MMFT2955E
http://onsemi.com
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Notes
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMFT2N02EL | Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts N-Channel(2A，20V，N溝道增強型功率MOS場效應管) |
| MMJT9410 | Bipolar Power Transistors NPN Silicon(NPN型雙極性功率晶體管) |
| MMJT9435 | Bipolar Power Transistors PNP Silicon(PNP型雙極性功率晶體管) |
| MMSD71RKT1 | Switching Diode(開關二極管) |
| MMSD914T1 | Switching Diode(開關二極管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMFT2955ET1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET P SOT-223 |
| MMFT2N02EL | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:MEDIUM POWER LOGIC LEVEL TMOS FET 1.6 AMP 20 VOLTS |
| MMFT2N02ELT1 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| MMFT2N25E | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 250 VOLTS |
| MMFT2N25ET3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
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