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參數(shù)資料
| 型號： | MMFT108T1 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | TMOS FET TRANSISTOR N-CHANNEL - ENHANCEMENT |
| 中文描述： | 250 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | MMFT108T1 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
N–Channel Enhancement–Mode
Logic Level SOT–223
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–to–Source Voltage
VDSS
VGS
ID
PD
200
Volts
Gate–to–Source Voltage — Continuous
±
20
Volts
Drain Current — Continuous
250
mAdc
Total Power Dissipation
@ TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
0.8
6.4
Watts
mW/
°
C
Operating and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
–65 to +150
°
C
DEVICE MARKING
MT108
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance — Junction–to–Ambient (1)
R
θ
JA
TL
156
°
C/W
Maximum Temperature for Soldering Purposes
Maximum Time in Solder Bath
260
10
°
C
Sec
1. Device mounted on FR4 glass epoxy printed circuit using minimum recommended foot print.
TMOS is a registered trademark of Motorola, Inc.
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by MMFT108T1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
TMOS FET
TRANSISTOR
N–CHANNEL —
ENHANCEMENT
CASE 318E–04, STYLE 3
SOT–223 (TO–261AA)
1
2
3
4
2, 4 DRAIN
1
GATE
3 SOURCE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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