參數(shù)資料
型號： MMDT5551-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： MMDT5551-13
DS30172 Rev. 6 - 2
3 of 3
MMDT5551
www.diodes.com
0
50
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
100
150
200
0
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.15
0.14
0.13
0.12
0.11
0.10
1
10
100
1000
V
,
COLLECT
O
R
T
O
EMITTER
CE(SA
T)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
I
B
=10
T = 150°C
A
T = 25°C
A
T = -50°C
A
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
OL
T
A
GE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
V= 5V
CE
T = 150°C
A
T= 25°C
A
T = -50°C
A
1
10
1000
100
1
10
100
h
,
DC
CURRENT
FE
GAIN
(NORMALIZED)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
V= 5V
CE
T = 150°C
A
T= 25°C
A
T = -50°C
A
1
10
1000
100
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
V= 5V
CE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMDT5551 160 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMFT1N10ET1 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT1N10ET3 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT1N10ET1 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
MMFT2955ET3 1200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MMDT5551-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 160V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMDT5551-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMDT5551-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMDT5P333 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
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