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參數(shù)資料
| 型號： | MMDT4413 |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 453K |
| 代理商： | MMDT4413 |
Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Fig.2 DC Current Gain vs. Collector Current (NPN-4401)
Fig.3 Capacitance (NPN-4401)
Fig.4 Collector Saturation Region (NPN-4401)
Fig.5 Collector Emitter Saturation Voltage vs. Collector
Current (NPN-4401)
Fig.6 Base-Emitter Voltage vs. Collector Current
(NPN-4401)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MMDT5451-13 | 200 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMDT5451-TP | 200 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMDT5551-13 | 200 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MMDT4413-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40 / 40V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMDT4944 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Dual-Chip Plastic Encapsulated Transistor |
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