參數(shù)資料
型號： MMDF2P02ER2
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： 2 A, 20 V, 0.4 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大小： 274K
代理商： MMDF2P02ER2
MMDF2P02E
9
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 751–05
SO–8
ISSUE P
STYLE 11:
PIN 1.
SOURCE 1
2.
GATE 1
3.
SOURCE 2
4.
GATE 2
5.
DRAIN 2
6.
DRAIN 2
7.
DRAIN 1
8.
DRAIN 1
SEATING
PLANE
1
4
5
8
C
K
4X
P
A
0.25 (0.010) M T B S
S
0.25
(0.010)
M
B
M
8X
D
R
M
J
X
45
_
F
–A–
–B–
–T–
DIM
MIN
MAX
MILLIMETERS
A
4.80
5.00
B
3.80
4.00
C
1.35
1.75
D
0.35
0.49
F
0.40
1.25
G
1.27 BSC
J
0.18
0.25
K
0.10
0.25
M
0
7
P
5.80
6.20
R
0.25
0.50
_
G
NOTES:
1. DIMENSIONS A AND B ARE DATUMS AND T IS A
DATUM SURFACE.
2. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
3. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETER.
4. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION.
5. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 PER SIDE.
6. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE MOLD
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 TOTAL IN EXCESS
OF THE D DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
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PDF描述
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MMDF3304R2 7300 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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參數(shù)描述
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MMDF2P02HDR2G 功能描述:MOSFET PFET SO8D 20V 3.3A 160mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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