參數(shù)資料
型號: MMBTH81S62Z
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 4/4頁
文件大?。?/td> 67K
代理商: MMBTH81S62Z
MPSH81
/
MMBTH81
AC Typical Characteristics
Contours of Constant Gain
Bandwidth Product (f
T)
Input / Output Capacitance
vs. Reverse Bias Voltage
POWER DISSIPATION vs
AMBIENT TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
TEMPERATURE ( C)
P
-P
O
W
E
R
DIS
S
IP
A
T
IO
N
(m
W
)
TO-92
SOT-23
D
°°°°°
PNP RF Transistor
(continued)
相關PDF資料
PDF描述
MMBTRC105SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTRC106SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTRC101SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTRC104SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTRC102SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBTRA102 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 10/10kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRA103 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 22/22kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRA104 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 47/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRA105 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 2.2/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2