參數(shù)資料
型號： MMBTRC106SS
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： MMBTRC106SS
MMBTRC101SS ... MMBTRC106SS
MMBTRC101SS ... MMBTRC106SS
NPN
Surface Mount Bias Resistor Transistors
SMD Transistoren mit Eingangsspannungsteiler
NPN
Version 2011-02-10
Dimensions - Mae [mm]
1 = In
2 = Gnd
3 = Out
Power dissipation – Verlustleistung
200 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings and characteristics (TA = 25°C)
Grenz- und Kennwerte (TA = 25°C)
Resistor combinations – Widerstandskombinationen
R1 [kΩ]
R2 [kΩ]
MMBTRC101SS
4.7
MMBTRC102SS
10
MMBTRC103SS
22
MMBTRC104SS
47
MMBTRC105SS
2.2
47
MMBTRC106SS
4.7
47
Input-voltage – Eingangs-Spannung
VI
MMBTRC101SS
-10 ... +20 V
MMBTRC102SS
-10 ... +30 V
MMBTRC103SS
-10 ... +40 V
MMBTRC104SS
-10 ... +40 V
MMBTRC105SS
-5 ... +12 V
MMBTRC106SS
-5 ... +20 V
Output voltage – Ausgangs-Spannung
VO
50 V
Output current – Ausgangs-Strom
IO
100 mA
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
200 mW 1)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
2.
5
m
ax
1.
3
±
0.
1
1.1
0.4
2.9 ±0.1
1
2
3
Type
Code
1.9
3
1
2
R1
R2
Output
Input
Ground
相關PDF資料
PDF描述
MMBTRC101SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTRC104SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTRC102SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTRC103SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBV3401 35 V, SILICON, PIN DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTRC107 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 10/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRC108 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 22/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRC109 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 47/22kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRC110 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN digital trans 4.7kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRC111 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN digital trans 10kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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