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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTH81S62Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 67K |
| 代理商： | MMBTH81S62Z |
MPSH81
/
MMBTH81
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
20
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
E = 0
20
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
3.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 10 V, IE = 0
100
nA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 2.0 V, IC = 0
100
nA
hFE
DC Current Gain
IC = 5.0 mA, VCE = 10 V
60
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 5.0 mA, IB = 0.5 mA
0.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 5.0 mA, VCE = 10 V
0.9
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 5.0 mA, VCE = 10 V,
f = 100 MHz
600
MHz
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz
0.85
pF
Cce
Collector Emitter Capcitance
VCB = 10 V, IB = 0, f = 1.0 MHz
0.65
pF
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
DC Typical Characteristics
Collector Saturation Voltage
vs. Collector Current
DC Current Gain vs.
Collector Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
PNP RF Transistor
(continued)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTRC105SS | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTRC106SS | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTRC101SS | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTRC104SS | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| MMBTRC102SS | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTRA101 RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 4.7/4.7kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTRA102 RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 10/10kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTRA103 RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 22/22kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTRA104 RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 47/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTRA105 RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 2.2/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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