參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH24-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 73K
代理商： MMBTH24-13
DS31034 Rev. 9 - 2
2 of 3
MMBTH24
www.diodes.com
Month
Jan
Feb
March
Apr
May
Jun
Jul
Aug
Sep
Oct
Nov
Dec
Code
12
3
4
5
6
7
89
O
N
D
Date Code Key
K3Z = Product Type Marking Code
YM = Date Code Marking
Y = Year ex: N = 2002
M = Month ex: 9 = September
K3Z
YM
Marking Information
Notes:
4. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
5. For Lead Free/RoHS Compliant version part number, please add "-F" suffix to the part number above. Example: MMBTH24-7-F.
Device
Packaging
Shipping
MMBTH24-7
SOT-23
3000/Tape & Reel
(Note 4)
Ordering Information
Year
1998
1999
2000
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
Code
JK
L
M
N
P
R
ST
U
V
W
1
10
1000
V,
C
O
LLECT
O
RT
O
EMITTER
CE(SA
T
)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2 Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
T = 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.18
0.17
0.16
0.20
0.19
I
C
I
B
= 10
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
350
0
0.1
1
10
1000
V
,
BASE
EMITTER
V
O
L
T
AGE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4 Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
T= 25°C
A
T= -50°C
A
T= 150°C
A
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.90
0.85
1.00
0.95
V@ V
= 5V
BE(on)
CE
1
10
100
1000
1
10
100
V
= 5V
CE
h
,
DC
CURRENT
G
AIN
(NORMALIZED)
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs. Collector Current
T= 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTH34S62Z Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTH34L99Z Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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MMBTH81S62Z VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
MMBTH24-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH24-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH34 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
MMBTH34_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH81 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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