參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH81L99Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： MMBTH81L99Z
MPSH81
/
MMBTH81
PNP RF Transistor
This device is designed for general RF amplifier and mixer
applications to 250 mHz with collector currents in the 1.0 mA
to 30 mA range. Sourced from Process 75.
MMBTH81
MPSH81
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
20
V
VCBO
Collector-Base Voltage
20
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
3.0
V
IC
Collector Current - Continuous
50
mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPSH81
*MMBTH81
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
350
2.8
225
1.8
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
125
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
357
556
°C/W
C
E
B
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 3D
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
H81, Rev B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTH81S62Z VHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTRC105SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTRC106SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTRC101SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
MMBTRC104SS 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTRA101 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 4.7/4.7kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRA102 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 10/10kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRA103 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 22/22kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRA104 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 47/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTRA105 RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP digital trans 2.2/47kohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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