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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTH10T/R13 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 149K |
| 代理商： | MMBTH10T/R13 |
PAGE . 1
STAD-JUN.30.2006
MMBTH10
.083(2.10)
.020(.50)
.006(.15)
.119(3.00)
.056(1.40)
.103(2.60)
.044(1.10)
.007(.20)MIN
.066(1.70)
.006(.15)MAX
.013(.35)
.002(.05)
.110(2.80)
.047(1.20)
.086(2.20)
.035(0.90)
SOT- 23
Unit: inch (mm)
VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR
VOLTAGE
25 Volts
225 mW
FEATURES
NPN Silicon
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
Case : SOT-23, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx weight : 0.008 gram
POWER
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
Note 1. FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTH10 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH10 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH11L99Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTH11S62Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTH11L99Z | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTH11 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBTH11_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH24 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| MMBTH24_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTH24-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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