參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA64S62Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1200 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBTA64S62Z
MPSA64
/
MMBTA64
/
PZTA64
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
B = 0
30
V
ICBO
Collector-Cutoff Current
VCB = 30 V, IE = 0
100
nA
IEBO
Emitter-Cutoff Current
VEB = 10 V, IC = 0
100
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
10,000
20,000
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 100 mA, IB = 0.1 mA
1.5
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
2.0
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V,
f = 100 MHz
125
MHz
Typical Characteristics
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
I - COLLECTOR CURRENT (A)
V
-
CO
LL
EC
T
O
R
EM
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
ESA
T
β = 1000
25 °C
- 40 C
125 C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.1
1
0
10
20
30
40
50
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
-TYP
IC
A
L
PU
LS
E
D
CU
RR
EN
T
G
A
IN
(
K
)
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 5V
CE
PNP Darlington Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA64 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA92 500 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA93 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA92 300 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA93LT3 500 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA70LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA70LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA92 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA92 T/R 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMBTA92,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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