參數(shù)資料
型號: MMBTA55-13
廠商: DIODES INC
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 3/3頁
文件大小: 60K
代理商: MMBTA55-13
DS30054 Rev. 6 - 2
3 of 3
MMBTA55 / MMBTA56
www.diodes.com
1
0.1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
OL
T
A
GE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4 Base Emitter Voltage vs. Collector Current
0.2
0.3
0.4
0.6
0.5
0.8
0.7
0.9
1.0
V= 5V
CE
T= 25°C
A
T = -50°C
A
T = 150°C
A
10
1000
100
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
FE
GAIN
(NORMALIZED)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
T = -50°C
A
T= 25°C
A
T = 150°C
A
V= 5V
CE
1
10
100
1
10
100
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5 Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
V= 5V
CE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA56-13 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA55 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56-GS18 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56-GS08 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA56-HIGH 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA55-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA55LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2