參數(shù)資料
型號： MMBTA44
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 300 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 315K
代理商： MMBTA44
2008. 3. 10
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MMBTA44
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 2
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
FEATURES
High Breakdown Voltage.
Collector Power Dissipation : PC=350mW.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
*Pulse Test : Pulse Width
300 S, Duty Cycle
2.0%
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-BaseVoltage
VCBO
450
V
Collector-EmitterVoltage
VCEO
400
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
300
mA
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=100 A, IE=0
450
-
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, IB=0
400
-
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (2)
V(BR)CES
IC=100 A, IB=0
450
-
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=10 A, IC=0
6.0
-
V
Collector Cut off Current
ICBO
VCB=400V, IE=0
-
100
nA
Collector Cut off Current
ICES
VCE=400V, IB=0
-
500
nA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=4V, IC=0
-
100
nA
DC Current Gain
*
hFE
VCE=10V, IC=1mA
40
-
VCE=10V, IC=10mA
50
-
200
VCE=10V, IC=50mA
45
-
VCE=10V, IC=100mA
40
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
*
VCE(sat) 1
IC=1mA, IB=0.1mA
-
0.4
V
VCE(sat) 2
IC=10mA, IB=1mA
-
0.5
VCE(sat) 3
IC=50mA, IB=5mA
-
0.75
Base-Emitter Saturation Voltage
*
VBE(sat)
IC=10mA, IB=1mA
-
0.75
V
Transition Frequency
fT
VCE=10V, IC=10mA, f=10MHz
20
-
MHz
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=20V, IE=0, f=1MHz
-
7
pF
Input Capacitance
Cib
VEB=0.5V, IC=0, f=1MHz
-
130
pF
* : Package Mounted On 99.5% Alumina 10
8
0.6mm.
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