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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTA43 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 107K |
| 代理商： | MMBTA43 |
MMBTA42 / MMBTA43
MMBTA42 / MMBTA43
NPN
Surface mount High Voltage Transistors
Hochspannungs-Transistoren für die Oberflchenmontage
NPN
Version 2005-06-21
Dimensions / Mae [mm]
1 = B
2 = E
3 = C
Power dissipation
Verlustleistung
250 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBTA42
MMBTA43
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
300 V
200 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
300 V
200 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
6 V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
250 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
500 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-65...+150°C
-65…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, VCB = 200 V
IE = 0, VCB = 160 V
MMBTA42
MMBTA43
ICB0
–
100 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IC = 0, VEB = 6 V
IC = 0, VEB = 4 V
MMBTA42
MMBTA43
IEB0
–
100 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sttigungsspannung 2)
IC = 20 mA, IB = 2 mA
VCEsat
–
500 mV
Base saturation voltage – Basis-Sttigungsspannung 2)
IC = 20 mA, IB = 2 mA
VBEsat
–
900 mV
1
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss
2
Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis ≤ 2%
Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
2.5
max
1.
3
±0
.1
1.1
2.9 ±0.1
0.4
1
2
3
Type
Code
1.9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA42 | 300 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA42 | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA42 | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA42 | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA42 | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTA43LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA43LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 200V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBTA44 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MMBTA44_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MMBTA44-G | 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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