參數資料
型號： MMBTA42
廠商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 300 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數： 1/5頁
文件大小： 225K
代理商： MMBTA42
MMBTA42
NPN General Purpose Transistor
FEATURES
For switching and amplifier applications.
Complementary PNP Type Available (MMBTA92)
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23 Plastic
Case material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Lead Free in RoHS 2002/95/EC Compliant
Maximum Ratings @ TA = 25℃
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Collector-Base Voltage
VCBO
300
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
300
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
V
Collector Current -Continuous
IC
300
mA
Collector Power Dissipation
PC
350
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RΘJA
357
/W
℃
Junction Temperature
TJ
150
℃
Storage Temperature Range
TSTG
-55~+150
℃
Electrical Characteristics @ TA = 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Test Condition
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-base breakdown voltage
IC=100A,IE=0
VCBO
300
V
Collector-emitter breakdown voltage
IC=1mA,IB=0
VCEO
300
V
Emitter-base breakdown voltage
IE=100A,IC=0
VEBO
5
V
Collector-base cut-off current
VCB=200V,IE=0
ICBO
0.25
uA
Emitter-base cut-off current
VEB=5V,IC=0
IEBO
0.1
uA
VCE=10V,IC=1mA
hFE1
60
V
VCE=10V,IC=10mA
hFE2
100
200
V
DC current gain
VCE=10V,IC=30mA
hFE3
60
V
Collector-emitter saturation voltage
IC=20mA,IB=2mA
VCE(sat)
0.2
V
Base-emitter saturation voltage
IC=20mA,IB=2mA
VBE(sat)
0.9
V
Transition frequency
VCE=20V,IC=10mA,
f=30MHz
fT
50
MHz
REV. 1, Oct-2010, KSNR17
相關PDF資料
PDF描述
MMBTA42 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA42 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA42 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA42 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA43-TP 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
MMBTA42 T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
MMBTA42,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA42 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
MMBTA42_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA42_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*