參數資料
型號： MMBTA42
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數： 1/2頁
文件大小： 235K
代理商： MMBTA42
1999. 11. 30
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MMBTA42/43
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 3
HIGH VOLTAGE APPLICATION.
TELEPHONE APPLICATION.
FEATURES
Complementary to MMBTA92/93.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
A
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
PP
P7
+
_
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
*Pulse Test : Pulse Width
300 S, Duty Cycle
2.0%
* : Package Mounted On 99.5% Alumina 10
8
0.6mm.
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Collector-Base
Breakdown Voltage
MMBTA42
V(BR)CBO
IC=100 A, IE=0
300
-
V
MMBTA43
200
-
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
MMBTA42
V(BE)CEO
IC=1.0mA, IB=0
300
-
V
MMBTA43
200
-
DC Current Gain
* hFE
IC=1.0mA, VCE=10V
40
-
IC=10mA, VCE=10V
40
-
IC=30mA, VCE=10V
40
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=20mA, IB=2.0mA
-
0.5
V
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=20mA, IB=2.0mA
-
0.9
V
Transition Frequency
fT
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
50
-
MHz
Collector Output
Capacitance
MMBTA42
Cob
VCB=20V, IE=0, f=1MHz
-
3.0
pF
MMBTA43
-
4.0
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base
Voltage
MMBTA42
VCBO
300
V
MMBTA43
200
Collector-Emitter
Voltage
MMBTA42
VCEO
300
V
MMBTA43
200
Emitter-Base Voltage
VEBO
5.0
V
Collector Current
IC
500
mA
Emitter Current
IE
-500
mA
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature
Tstg
-55
150
Type Name
Marking
MMBTA42
MMBTA43
Lot No.
AAX
Type Name
Lot No.
ABX
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PDF描述
MMBTA42 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA42 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA42 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA43-TP 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA43L99Z 200 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
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MMBTA42,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA42 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23
MMBTA42_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA42_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN HIGH VOLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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