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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTA28 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN General Purpose Amplifier(NPN通用放大器) |
| 中文描述： | 800 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPERSOT-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | MMBTA28 |
M
NPN Darlington Transistor
MMBTA28
MPSA28
PZTA28
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
80
80
12
800
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPSA28
625
5.0
83.3
200
*MMBTA28
350
2.8
**PZTA28
1,000
8.0
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
357
125
This device is designed for applications requiring extremely
high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced
from Process 03.
CBE
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 3SS
B
C
C
SOT-223
E
Discrete POWER & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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