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參數(shù)資料
| 型號： | MMBTA43 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN High Voltage Amplifier(NPN高電壓放大器) |
| 中文描述： | 200 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 27K |
| 代理商： | MMBTA43 |
NPN High Voltage Amplifier
This device is designed for application as a video output to
drive color CRT and other high voltage applications. Sourced
from Process 48. See MPSA42 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
MPSA43
MMBTA43
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPSA43
625
5.0
83.3
200
*MMBTA43
350
2.8
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
357
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
200
200
6.0
200
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
M
CBE
TO-92
C
B
E
SOT-23
Mark: 1E
Discrete POWE R & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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