參數資料
型號： MMBTA65
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP Darlington Transistor
中文描述： 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數： 1/2頁
文件大?。?/td> 29K
代理商： MMBTA65
M
PNP Darlington Transistor
This device is designed for applications requiring extremely high
current gain at currents to 800 mA. Sourced from Process 61.
See MPSA64 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
30
30
10
1.2
V
V
V
A
°
C
-55 to +150
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
MPSA65
625
5.0
83.3
200
*MMBTA65
350
2.8
**PZTA65
1,000
8.0
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
357
125
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm
2
.
MPSA65
CBE
TO-92
PZTA65
B
C
C
SOT-223
E
MMBTA65
C
B
E
SOT-23
Mark: 2W
Discrete POWE R & Signal
T echnologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
A65, Rev A
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PDF描述
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MMBZ5233B Non-Compensated Precision Single Channel Operational Amplifier for Split Supplies, Ta = -40 to +105°C - Pb-free; Package: SOIC-8 Narrow Body; No of Pins: 8; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500
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參數描述
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