參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA14G-AE3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： MMBTA14G-AE3-R
MMBTA14
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
2 of 3
www.unisonic.com.tw
QW-R206-038.B
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
30
V
Collector-Emitter Voltage
VCES
30
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Collector Dissipation (TC=25°C)
PC
350
mW
Collector Current
IC
500
mA
Junction Temperature
TJ
+150
°C
Storage Temperature
TSTG
-40 ~ +150
°C
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX UNIT
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCES
IC=100A, IB=0
30
V
Collector CutOff Current
ICBO
VCB=30V, IE=0
100
nA
Emitter CutOff Current
IEBO
VEB=10V, IC=0
100
nA
DC Current Gain
hFE
VCE=5V, IC=100 mA (Note)
20000
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=0.1mA (Note)
1.5
V
Base-Emitter on Voltage
VBE(ON)
VCE=5V, IC=100mA (Note)
2.0
V
Current Gain Bandwidth Product
fT
VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz
125
MHz
Note: Pulse Width<300s, Duty Cycle
≤2%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA14LT3 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA13LT3 300 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA14S62Z 1200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA14 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA13 500 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA14LT1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA14LT1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA14LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 30V SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V SOT-23
MMBTA14LT1HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR DARL NPN 30V SOT-23
MMBTA14-T 功能描述:達(dá)林頓晶體管 300mA 30V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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