參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT918WT/R7
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： MMBT918WT/R7
PAGE . 2
REV.0.1-FEB.27.2009
MMBT918W
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS
NPN
Fig.34
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT918WT/R13 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT945-H-TP 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA05 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA05 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA05T/R7 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBTA 06 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 14 LT1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 AF Darlington NPN 30V 0.3A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA 42 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 56 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT PNP 80V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTA 92 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT PNP 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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