參數(shù)資料
型號： MMBT918WT/R7
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： MMBT918WT/R7
PAGE . 1
REV.0.1-FEB.27.2009
MMBT918W
.087(2.2)
.054(1.35)
.056(1.40)
.006(.15)
.016(.40)
.087(2.2)
.044(1.1)
.004(.10)MIN.
.070(1.8)
.045(1.15)
.047(1.20)
.004(.10)MAX.
.002(.05)
.008(.20)
.078(2.0)
.035(0.9)
SOT-323
Unit: inch (mm)
VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR
VOLTAGE
15 Volts
225 mWatts
FEATURES
NPN silicon
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
Case: SOT-323, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 5 mg
Marking: R1B
POWER
ABSOLUTE RATINGS
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Note 1: FR.4 = 70 x 60 x 1mm.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT918WT/R13 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT945-H-TP 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA05 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA05 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA05T/R7 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBTA 92 LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT AF GP BJT PNP 300V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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