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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT5771L99Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | MMBT5771L99Z |
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 10 mA, IB = 040V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
E = 0
40
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, IC = 0
12
V
ICEO
Collector Cutoff Current
VCE = 25 V, IB = 0
1.0
A
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 30 V, IE = 0
50
nA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 10 V, IC = 0
50
nA
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Cobo
Output Capacitance
VCB = 10 V, IE = 0,
f = 1.0 MHz
7.0
pF
Cibo
Input Capcitance
VBE = 1.0 V, IC = 0,
f = 1.0 MHz
15
pF
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
hFE
DC Current Gain*
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V
IC = 100 mA, VCE = 5.0 V
IC = 500 mA, VCE = 5.0 V
10,000
20,000
14,000
100,000
200,000
140,000
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 50 mA, IB = 0.5 mA
IC = 500 mA, IB = 0.5 mA
1.2
1.5
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 500 mA, IB = 0.5 mA
2.0
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 50 mA, VCE = 5.0 mA
1.75
V
NPN Darlington Transistor
(continued)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
2N6427
/
MMBT6427
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5771S62Z | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT589 | 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT589 | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5962D87Z | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5962L99Z | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MMBT589LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT589LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT589LT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5962 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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