參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5771L99Z
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 103K
代理商： MMBT5771L99Z
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 3.0 mA, IB = 0
15
V
V(BR)CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 100
A, V
BE = 0
15
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
E = 0
15
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 100
A, I
C = 0
4.5
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 8.0 V, IE = 0
10
nA
ICES
Collector Cutoff Current
VCE = 8.0 V, VBE = 0
VCE = 8.0 V, VBE = 0, TA= 125
°C
10
5.0
nA
A
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 4.5 V, IC = 0
1.0
A
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
IC = 1.0 mA, VCE = 0.5 V
IC = 10 mA, VCE = 0.3 V
IC = 10mA,VCE = 0.3V,TA = -55
°C
IC = 50 mA, VCE = 1.0 V
35
50
20
40
120
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 1.0 mA, IB = 0.1 mA
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA
0.15
0.18
0.6
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 1.0 mA, IB = 0.1 mA
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA
0.75
0.8
0.95
1.5
V
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 5.0 V, IE = 0,
f = 140 kHz
3.0
pF
Ceb
Emitter-Base Capacitance
VBE = 0.5 V, IC = 0,
f = 140 kHz
3.5
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 10 V,
f = 100 MHz
8.5
MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
ts
Storage Time
IC = 10 mA, VCC = 1.5 V,
IB1 = IB2 = 1.0 mA
20
ns
ton
Turn-On Time
IC = 10 mA, VCC = 1.5 V,
IB = 1.0 mA
15
ns
toff
Turn-Off Time
IC = 10 mA, VCC = 1.5 V,
IB1 = IB2 = 1.0 mA
20
ns
PNP Switching Transistor
(continued)
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
2N5771
/
MMBT5771
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT5771S62Z Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT589 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT589 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5962D87Z NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5962L99Z NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT589LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT589LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT589LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT589LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5962 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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