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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT5401 |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 187K |
| 代理商： | MMBT5401 |
SOT-23 Outline Dimension
Device Marking :
Device P/N
Marking code
MMBT5401
2L
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT5401 | 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT5550LT3 | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5551LT3 | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5550LT3 | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT5550 | 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT5401 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORPNPSMDSOT-23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,PNP,SMD,SOT-23 |
| MMBT5401_D87Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT5401-G | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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