參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT5401
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
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代理商： MMBT5401
PAGE . 4
REV.0.0-OCT.20.2008
MMBT5401
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PDF描述
MMBT5401 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5550LT3 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5551LT3 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMBT5401-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-G 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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