參數(shù)資料
型號: MMBT5401
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 500 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 310K
代理商: MMBT5401
PAGE . 1
REV.0.0-OCT.20.2008
MMBT5401
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
PNP Silicon
FEATURES
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case : SOT-23 plastic case.
Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Standard packaging : 8mm tape
Weight : approximately 0.008gram
Marking : M5A
MAXIMUM RATINGS
Maximum ratings are those values beyound which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress
limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously.If these limits are exceeded, device functional operational
is not implied, damage may occur and reliability may be affected.
G
N
I
T
A
RL
O
B
M
Y
SE
U
L
A
VS
T
I
N
U
e
g
a
t
l
o
V
r
e
t
i
m
E
-
r
o
t
c
e
ll
o
C
VCEO
0
5
1
-c
d
V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
r
o
t
c
e
ll
o
C
VCBO
0
6
1
-c
d
V
e
g
a
t
l
o
V
e
s
a
B
-
r
e
t
i
m
E
VEBO
0
.
5
-c
d
V
s
u
o
u
n
i
t
n
o
C
-
t
n
e
r
u
C
r
o
t
c
e
ll
o
C
I C
0
5
-c
d
A
m
PNP
Fig.35
相關PDF資料
PDF描述
MMBT5401 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5401 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT5550LT3 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5551LT3 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT5401 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTORPNPSMDSOT-23 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR,PNP,SMD,SOT-23
MMBT5401_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS PNP 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5401-G 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=-150V IC=-600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray