參數(shù)資料
型號： MMBT4403/E9
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： MMBT4403/E9
MMBT4403
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88227
www.vishay.com
10-May-02
3
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Delay Time (see Fig. 1)
td
–IB1 = 15mA, –IC = 150mA
——
15
ns
–VCC = 30V, –VEB = 2V
Rise Time (see Fig. 1)
tr
–IB1 = 15mA, –IC = 150mA
——
20
ns
–VCC = 30V, –VEB = 2V
Storage Time (see Fig. 2)
ts
–IB1 = –IB2 = 15mA,
——
225
ns
–IC = 150mA, –VCC = 30V
Fall Time (see Fig. 2)
tf
–IB1 = –IB2 = 15mA,
——
30
ns
–IC = 150mA, –VCC = 30V
200
+30V
-4 V
< 2 ns
0
C * < 10 pF
S
C
< 10 pF
S
*
200
1.0 to 100
s, DUTY CYCLE ≈ 2%
1.0 to 100
s, DUTY CYCLE ≈ 2%
+30V
+16 V
-2 V
1k
1k
Scope rise time < 4ns
*Total shunt capacitance of test jig,
connectors and oscilloscope
< 20 ns
0
+16 V
-14 V
Switching Time Equivalent Test Circuit
Figure 1: Turn-ON Time
Figure 2: Turn-OFF Time
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT4403 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT4403-GS18 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4403-GS08 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4403L-AE3-R 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4403G-AL3-R 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT4403K 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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