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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT4403-GS18 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | MMBT4403-GS18 |
VISHAY
MMBT4403
Document Number 85145
Rev. 1.2, 24-May-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
1
3
2
E
B
C
3
1
2
18978
Small Signal Transistor (PNP)
Features
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for
switching and amplifier applications.
As complementary type, the NPN transistor
MMBT4401 is recommended.
This transistor is also available in the TO-92 case
with the type designation 2N4403.
Mechanical Data
Case: SOT-23 Plastic case
Weight: approx. 8.8 mg
Packaging Codes/Options:
GS18 / 10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box
GS08 / 3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box
Parts Table
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
1) FR-5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2) Alumina Substrate = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5 % alumina
Part
Type differentiation
Ordering code
Marking
Remarks
MMBT4403
hFE, 100 to 300 @ 150 mA
MMBT4403-GS18 or MMBT4403-GS08
2T
Tape and Reel
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Collector - base voltage
- VCBO
40
V
Collector - emitter voltage
- VCEO
40
V
Emitter - base voltage
- VEBO
5V
Collector current
- IC
600
mA
Power dissipation 1)
TA = 25 °C
Ptot
225
mW
Derate above 25 °C
Ptot
1.8
mW/°C
Power dissipation 2)
TA = 25 °C
Ptot
300
mW
Derate above 25 °C
Ptot
2.4
mW/°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4403-GS08 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403L-AE3-R | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403G-AL3-R | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403G-AE3-R | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403LT1 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT4403K | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4403LT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT4403LT1S | 制造商:Motorola 功能描述:4403 MOT'93 T/R 制造商:Motorola Inc 功能描述:Transistor |
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