參數(shù)資料
型號： MMBT4403/E9
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 32K
代理商： MMBT4403/E9
MMBT4403
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88227
2
10-May-02
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
–VCE = 1V, –IC = 0.1mA
30
——
–VCE = 1V, –IC = 1mA
60
——
DC Current Gain
hFE
–VCE = 1V, –IC = 10mA
100
———
–VCE = 2V, –IC = 150mA
(1)
100
—
300
–VCE = 2V, –IC = 500mA
(1)
20
——
Collector-Base Breakdown Voltage
–V(BR)CBO
–IC = 0.1mA, IE = 0
40
——
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage(1)
–V(BR)CEO
–IC = 1mA, IB = 0
40
——
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
–V(BR)EBO
–IE = 0.1mA, IC = 0
5.0
——
V
Collector-Emitter Saturation Voltage(1)
–VCEsat
–IC = 150mA, –IB = 15mA
——
0.40
V
–IC = 500mA, –IB = 50mA
——
0.75
Base-Emitter Saturation Voltage(1)
–VBEsat
–IC = 150mA, –IB = 15mA
0.75
—
0.95
V
–IC = 500mA, –IB = 50mA
——
1.30
Collector-Emitter Cut-off Current
–ICEV
–VEB = 0.4V, –VCE = 35V
——
100
nA
Emitter-Base Cut-off Current
–IBEV
–VEB = 0.4V, –VCE = 35V
——
100
nA
Current Gain-Bandwidth Product
fT
–VCE = 10V, –IC = 20mA
200
——
MHz
f = 100MHz
Collector-Base Capacitance
CCBO
–VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz
——
8.5
pF
Emitter-Base Capacitance
CEBO
–VEB = 0.5V, IC = 0, f = 1MHz
——
30
pF
Input Impedance
hie
–VCE = 10V, –IC = 1mA,
1.5
—
15
k
f = 1kHz
Small Signal Current Gain
hfe
–VCE = 10V, –IC = 1mA,
60
—
500
—
f = 1kHz
Voltage Feedback Ratio
hre
–VCE = 10V, –IC = 1mA,
0.1 10-4
—
8 10-4
—
f = 1kHz
Output Admittance
hoe
–VCE = 10V, –IC = 1mA,
1.0
—
100
S
f = 1kHz
Notes: (1) Pulse test: pulse width
≤ 300 s duty cycle ≤ 2%
相關PDF資料
PDF描述
MMBT4403 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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MMBT4403-GS08 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4403L-AE3-R 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4403G-AL3-R 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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