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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT4401 |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 234K |
| 代理商： | MMBT4401 |
Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Fig.2 DC Current Gain vs. Collector Current
Fig.3 Typical Capacitance
Fig.4 Collector Saturation Region
Fig.5 Collector Emitter Saturation Voltage vs. Collector
Current
Fig.6 Base-Emitter Voltage vs. Collector Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4403/E9 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT4403 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT4403-GS18 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403-GS08 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4403L-AE3-R | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT4401_D87Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4401_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GEN PUR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4401-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-23 10K - Tape and Reel |
| MMBT4401-13-02-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-23 3K - Tape and Reel |
| MMBT4401-13-03-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-23 3K - Tape and Reel |
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