參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT4126LT1
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： General Purpose Transistor PNP Silicon
中文描述： 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 100K
代理商： MMBT4126LT1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 0
1
Publication Order Number:
MMBT4126LT1/D
MMBT4126LT1
Preferred Device
General Purpose Transistor
PNP Silicon
Moisture Sensitivity Level: 1
ESD Rating – Human Body Model: >4000 V
ESD Rating
– Machine Model: >400 V
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO
–25
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CBO
–25
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EBO
–4
Vdc
Collector Current–Continuous
I
C
–200
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board
(Note 1.)
T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance,
Junction to Ambient (Note 1.)
R
JA
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (Note 2.)
T
A
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance,
Junction to Ambient (Note 2.)
R
JA
417
°
C/W
Junction and Storage
Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to
+150
°
C
1. FR–5 = 1.0
2. Alumina = 0.4
0.75
0.3
0.062 in.
0.024 in. 99.5% alumina.
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
SOT–23
CASE 318
STYLE 6
http://onsemi.com
MMBT4126LT1
SOT–23
3000/Tape & Reel
MARKING DIAGRAM
C3 M
C3 = Device Code
M
= Date Code
1
2
3
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
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PDF描述
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參數(shù)描述
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