參數(shù)資料
型號： MMBTA63LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Darlington Transistors PNP Silicon
中文描述： 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： MMBTA63LT1G
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
January, 2006 Rev. 2
1
Publication Order Number:
MMBTA63LT1/D
MMBTA63LT1,
MMBTA64LT1
MMBTA64LT1 is a Preferred Device
Darlington Transistors
PNP Silicon
Features
PbFree Packages are Available
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
CollectorEmitter Voltage
V
CES
30
Vdc
CollectorBase Voltage
V
CBO
30
Vdc
EmitterBase Voltage
V
EBO
10
Vdc
Collector Current Continuous
I
C
500
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR5 Board,
(Note 1) T
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
R
JA
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (Note 2)
T
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
R
JA
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
T
J
, T
stg
55 to +150
°
C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
1. FR5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
http://onsemi.com
SOT23 (TO236)
CASE 318
STYLE 6
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
MMBTA63LT1
SOT23
3,000 / Tape & Reel
For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
MMBTA63LT1G
SOT23
(PbFree)
3,000 / Tape & Reel
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
1
2
3
COLLECTOR 3
BASE
1
EMITTER 2
MMBTA64LT1
SOT23
3,000 / Tape & Reel
MMBTA64LT1G
SOT23
(PbFree)
3,000 / Tape & Reel
*Date Code orientation and/or overbar may
vary depending upon manufacturing location.
1
2x M
2x
= Device Code
x = U for MMBTA63LT1
x = V for MMBTA64LT1
= Date Code*
= PbFree Package
(Note: Microdot may be in either location)
M
MARKING DIAGRAM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBTA64LT1G Darlington Transistors PNP Silicon
MMBV105GLT1G Silicon Tuning Diode
MMBV2101LT1 Silicon Tuning Diode
MMBV2101 Silicon Tuning Diode
MMBV2108LT1 Silicon Tuning Diode
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參數(shù)描述
MMBTA64 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64_Q 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64-7 功能描述:達(dá)林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64-7-F 功能描述:達(dá)林頓晶體管 -30V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MMBTA64LT1 功能描述:達(dá)林頓晶體管 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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