參數(shù)資料
型號： MMBT3906LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： General Purpose Transistor PNP Silicon(PNP型通用晶體管)
中文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： MMBT3906LT3
MMBT3906LT1
http://onsemi.com
5
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 13. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
0.2
0.1
h
0.5
2.0
3.0
10
50
70
0.2
0.3
0.1
100
1.0
0.7
200
30
20
5.0
7.0
F
V
CE
= 1.0 V
T
J
= +125
°
C
+25
°
C
55
°
C
Figure 14. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
0
1.0
0.7
5.0
7.0
C
I
C
= 1.0 mA
T
J
= 25
°
C
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
10 mA
30 mA
100 mA
Figure 15. “ON” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
Figure 16. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
100
0.5
0
0.5
1.0
0
60
80
120
140
160
180
20
40
100
200
1.0
1.5
2.0
200
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
+25
°
C TO +125
°
C
55
°
C TO +25
°
C
+25
°
C TO +125
°
C
55
°
C TO +25
°
C
VC
FOR V
CE(sat)
VB
FOR V
BE(sat)
,
V
°
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PDF描述
MMBT3906TT1 General Purpose Transistors PNP Silicon(PNP型通用晶體管)
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參數(shù)描述
MMBT3906LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3906M 制造商:JIANGSU 制造商全稱:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:TRANSISTOR
MMBT3906Q-7-F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BJT,PNP,200MA,40V,MMBT3906,SOT23,AEC-Q - Tape and Reel
MMBT3906R-DK 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:200 MA, 40 V, PNP, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3906RF 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:350mW, PNP Small Signal Transistor
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