參數(shù)資料
型號： MMBT3906LT3
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： General Purpose Transistor PNP Silicon(PNP型通用晶體管)
中文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 78K
代理商： MMBT3906LT3
MMBT3906LT1
http://onsemi.com
3
Figure 1. Delay and Rise Time
Equivalent Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall Time
Equivalent Test Circuit
3 V
275
10 k
1N916
C
S
< 4 pF*
3 V
275
10 k
C
S
< 4 pF*
< 1 ns
+0.5 V
10.6 V
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
< 1 ns
+9.1 V
10.9 V
DUTY CYCLE = 2%
t
1
0
10 < t
1
< 500 s
* Total shunt capacitance of test jig and connectors
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
Figure 3. Capacitance
REVERSE BIAS (VOLTS)
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
Figure 4. Charge Data
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
1.0
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
Q
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
C
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
0.2 0.3
0.5 0.7
Q
T
Q
A
C
ibo
C
obo
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Figure 5. TurnOn Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
50
100
200
300
500
T
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
Figure 6. Fall Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
50
100
200
300
500
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
t
f
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 10
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
40 V
15 V
2.0 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT3906TT1 General Purpose Transistors PNP Silicon(PNP型通用晶體管)
MMBT4124LT1 General Purpose Transistor NPN Silicon(硅NPN通用晶體管)
MMBT489LT1 High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
MMBT489LT1_06 High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
MMBT489LT1G High Current Surface Mount NPN Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
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參數(shù)描述
MMBT3906LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3906M 制造商:JIANGSU 制造商全稱:Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 功能描述:TRANSISTOR
MMBT3906Q-7-F 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:BJT,PNP,200MA,40V,MMBT3906,SOT23,AEC-Q - Tape and Reel
MMBT3906R-DK 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:200 MA, 40 V, PNP, SI, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3906RF 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:350mW, PNP Small Signal Transistor
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