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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT3906-GS18 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 135K |
| 代理商： | MMBT3906-GS18 |
VISHAY
MMBT3906
Document Number 85144
Rev. 1.2, 19-May-04
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Test Circuit
Layout for RthJA test
Thickness: Fiberglass 1.5 mm (0.059 in.)
Copper leads 0.3 mm (0.012 in.)
Fig. 1 Test Circuit for Delay and Rise Time
300 ns
Duty cycle = 2 %
<10ns
- 0.5 V
-10.6V
*) total shunt capacitance of test jig and connectors
18973
-3V
275
10 k
C <4pF*)
3
Fig. 2 Test Circuit for Storage and Fall Time
Duty cycle = 2 %
- 10.9 V
0
+ 9.1 V
<1ns
*) total shunt capacitance of test jig and connectors
18974
-3V
275
10 k
C <4pF*)
3
10 < t < 500 ms
1
t1
17451
15 (0.59)
12 (0.47)
0.8 (0.03)
5 (0.2)
7.5 (0.3)
3 (0.12)
1 (0.4)
2 (0.8)
1.5 (0.06)
5.1 (0.2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT3906-HF | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 Transistor I=-200mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| MMBT3906-HF_12 | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:General Purpose Transistor |
| MMBT3906K | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3906L | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor(NPN Silicon) |
| MMBT3906L-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE APPLIATION |
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