參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2907ALT1
廠商： RECTRON LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
中文描述： PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 796K
代理商： MMBT2907ALT1
RECTRON
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( MMBT2907ALT1 )
10
f = 1.0 kHz
IC = - 50A
- 100
A
- 500
A
- 1.0mA
RS= OPTIMUM SOURCE RESISTANCE
8.0
6.0
4.0
2.0
0
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
30
2.0
-1.0
VBE(sat) @ IC/IB = 10
fT
,
C
U
R
E
N
T
±
G
A
IN
B
A
N
D
W
ID
T
H
P
R
O
D
U
C
T
(M
H
z)
20
10
7.0
5.0
3.0
400
300
200
100
80
60
40
30
20
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0 -5.0 -10 -20
-50 -100 -200 -500
-0.1
-0.2 -0.3 -0.5
-1.0
-2.0 -3.0 -5.0
-10
-20 -30
-0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20
-50 -100 -200 -500
-1.0 -2.0
-5.0
-10
-20
-50 -100 -200
-500 -1000
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
50 100
50
100 200
500 1.0k 2.0k
5.0k 10k
20k
50k
+0.5
0
±0.5
±1.0
±1.5
±2.0
±2.5
Ceb
VCE = -20V
TJ = 25
OC
TJ = 25
OC
N
F
,N
O
IS
E
F
IG
U
R
E
(d
B
)
C
,C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
(p
F
)
V
,V
O
L
T
A
G
E
(V
O
L
T
S
)
C
O
E
F
IC
IE
N
T
(m
V
/
5
C
)
N
F
,N
O
IS
E
F
IG
U
R
E
(d
B
)
IC = - 1.0mA , RS=430
- 500
A , R
S=560
- 50
A , R
S=2.7k
- 100
A , R
S=1.6k
Ccb
VBE(on) @ VCE = -10V
R
θVC for VCE(sat)
R
θVB for VBE
VCE(sat) @ IC/IB = 10
Figure 5.Frequency Effects
REVERSE VOLTAGE(VOLTS)
IC,COLLECTOR CURRENT(mA)
Figure 7.Capacitances
Figure 8.Currunt-Gain Bandwidth Product
f,FREQUENCY(KHz)
RS,SOURCE RESISTANCE(OHMS)
Figure 6.Source Resistance Effects
IC,COLLECTOR CURRENT(mA)
Figure 10.Temperature Coefficients
Figure 9."On" Voltages
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907LT1 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904-T1 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904LT1
MMBT3904T 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT2907ALT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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MMBT2907ALT1XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANS,SOT 23, 3K T&R WITH MMBT LABEL
MMBT2907ALT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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