參數(shù)資料
型號： MMBT2907ALT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： General Purpose Transistor(通用晶體管)
中文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： MMBT2907ALT1
MMBT2907ALT1
http://onsemi.com
4
TYPICAL SMALLSIGNAL Characteristics
NOISE FIGURE
V
CE
= 10 Vdc, T
A
= 25
°
C
Figure 7. Frequency Effects
f, FREQUENCY (kHz)
10
0.01
Figure 8. Source Resistance Effects
R
s
, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
N
N
f = 1.0 kHz
I
C
= 50 A
100 A
500 A
1.0 mA
R
s
= OPTIMUM SOURCE RESISTANCE
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0.02 0.05 0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
50
100
10
8.0
6.0
4.0
2.0
050
100
200
500 1.0 k
2.0 k
5.0 k 10 k
20 k
50 k
I
C
= 1.0 mA, R
s
= 430
500 A, R
s
= 560
50 A, R
s
= 2.7 k
100 A, R
s
= 1.6 k
Figure 9. Capacitances
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
30
Figure 10. CurrentGain Bandwidth Product
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
C
0.1
2.0
Figure 11. “On” Voltage
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0
Figure 12. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
V
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= 10 V
R
VC
for V
CE(sat)
f
C
°
C
20
10
7.0
5.0
3.0
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
400
300
200
100
80
60
40
30
20
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
50 100 200
500
+0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200 500
C
eb
C
cb
V
CE
= 20 V
T
J
= 25
°
C
R
VB
for V
BE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MMBT2907ALT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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