參數資料
型號： MMBT2907A-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數： 4/4頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： MMBT2907A-13
DS30040 Rev. 7 - 2
4 of 4
MMBT2907A
www.diodes.com
0
0.1
0.2
0.3
0.6
0.5
0.4
1
10
100
1000
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Collector Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current
V,
C
O
LLECT
O
RT
O
EMITTER
CE(SA
T
)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I
C
I
B
=10
T = 150°C
A
T = 25°C
A
T = -50°C
A
1
10
1000
100
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
FE
GAIN
(NORMALIZED)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, DC Current Gain vs
Collector Current
V= 5V
CE
T= 150°C
A
T= 25°C
A
T= -50°C
A
1
10
1000
100
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 7, Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
V= 5V
CE
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
OL
T
A
GE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 6, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
V= 5V
CE
T = 150°C
A
T= 25°C
A
T = -50°C
A
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PDF描述
MMBT2907A-GS18 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907ALT1
MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907LT1 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904-T1 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數描述
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MMBT2907A-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 150V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907A-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907A-AE3-6-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
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