參數(shù)資料
型號(hào): MMBT2907A-13
廠商: DIODES INC
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 79K
代理商: MMBT2907A-13
DS30040 Rev. 7 - 2
3 of 4
MMBT2907A
www.diodes.com
1.0
5.0
20
10
30
-0.1
-10
-1.0
-30
C
,
C
AP
A
C
IT
AN
C
E
(pF
)
REVERSE VOLTS (V)
Fig. 2 Typical Capacitance
Cobo
Cibo
I , BASE CURRENT (mA)
B
Fig. 3 Typical Collector Saturation Region
VC
O
LLECT
O
R-EMITTER
V
O
L
T
AGE
(V)
CE
0.001
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.1
1
10
100
I = 1mA
C
I= 10mA
C
I = 30mA
C
I = 100mA
C
I = 300mA
C
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
350
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2907A-GS18 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907ALT1
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MMBT2907A-7 功能描述:兩極晶體管 - BJT 150V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907A-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2907A-AE3-6-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER