參數(shù)資料
型號： MMBT2369LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Switching Transistors NPN Silicon
中文描述： 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： MMBT2369LT1G
MMBT2369LT1, MMBT2369ALT1
http://onsemi.com
5
V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
I
C
= 3 mA
I
C
= 10 mA
I
C
= 30 mA
I
C
= 50 mA
I
C
= 100 mA
T
J
= 25
°
C
I
B
, BASE CURRENT (mA)
Figure 10. Maximum Collector Saturation Voltage Characteristics
h
V
200
100
20
50
1
2
5
10
20
50
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. Minimum Current Gain Characteristics
V
CE
= 1 V
T
J
= 125
°
C
75
°
C
25
°
C
15
°
C
55
°
C
T
J
= 25
°
C and 75
°
C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.21
2
5
10
20
50
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 12. Saturation Voltage Limits
β
F
= 10
T
J
= 25
°
C
MAX V
BE(sat)
MIN V
BE(sat)
MAX V
CE(sat)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2369ALT1 Switching Transistors NPN Silicon(NPN型開關(guān)晶體管)
MMBT2484LT1 Low Noise Transistor(低噪聲晶體管)
MMBT2907ALT1 General Purpose Transistor(通用晶體管)
MMBT2907AWT1 General Purpose Transistor PNP Silicon(硅PNP通用晶體管)
MMBT3906LT3 General Purpose Transistor PNP Silicon(PNP型通用晶體管)
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參數(shù)描述
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MMBT2369LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT-2369-TR 制造商:Taitron Components Inc 功能描述:
MMBT2484 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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