參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT2222LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： General Purpose Transistors NPN Silicon(NPN型通用晶體管)
中文描述： 600 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 104K
代理商： MMBT2222LT1
MMBT2222LT1, MMBT2222ALT1
http://onsemi.com
4
V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
I
B
, BASE CURRENT (mA)
Figure 4. Collector Saturation Region
T
J
= 25
°
C
I
C
= 1.0 mA
10 mA
150 mA
500 mA
Figure 5. Turn-On Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
50
100
200
t
10
20
70
5.0
100
5.0 7.0
30
50
200
10
7.0
30
20
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
t
r
@ V
CC
= 30 V
t
d
@ V
EB(off)
= 2.0 V
t
d
@ V
EB(off)
= 0
3.0
2.0
300
500
500
t
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
Figure 6. Turn-Off Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
20
70
100
5.0 7.0
30
50
200
300
500
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25
°
C
t
′
s
= t
s
- 1/8 t
f
t
f
Figure 7. Frequency Effects
f, FREQUENCY (kHz)
4.0
6.0
8.0
10
2.0
0.1
Figure 8. Source Resistance Effects
R
S
, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
N
1.0 2.0
5.0 10
20
50
0.2
0.5
0
0.01 0.02
100
N
0.05
R
S
= OPTIMUM
R
S
=
SOURCE
R
S
=
RESISTANCE
I
C
= 1.0 mA, R
S
= 150
500 A, R
S
= 200
100 A, R
S
= 2.0 k
50 A, R
S
= 4.0 k
f = 1.0 kHz
I
C
= 50 A
100 A
500 A
1.0 mA
4.0
6.0
8.0
10
2.0
0
50
100
200
500
1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2222AWT1 General Purpose Transistor NPN Silicon(NPN型通用晶體管)
MMBT2369ALT1G Switching Transistors NPN Silicon
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MMBT2222LT1D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors NPN Silicon
MMBT2222LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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